碳化硅晶锭激光剥离设备投产

8月21日，由江苏通用半导体有限公司自主研发的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付并投产。

据了解，该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，将极大地提升我国碳化硅芯片产业的自主化、产业化水平。该设备年可剥离碳化硅衬底20000片，实现良率95%以上，与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，而设备售价仅仅是国外同类产品的1/3。

近年来，碳化硅功率器件在大功率半导体市场中所占的份额不断提高，并被广泛应用于新能源汽车、城市轨道交通、风力发电、高速移动、物联网等一系列领域。然而，由于材料高硬度、高脆性的特点，在使用传统的砂浆线、金刚石线等冷切工艺切割、剥离碳化硅晶锭时，存在效率过低、损耗过高的缺点，导致衬底产能提升过慢，远远无法满足市场的实际需求。由于产能严重不足，碳化硅衬底的生产成本一直居高不下，在器件成本构成中，碳化硅器件中衬底要占成本的47%，远远高于硅基器件的7%。

江苏通用半导体有限公司董事长陶为银介绍，采用基于激光工具和加工技术切割、剥离碳化硅晶锭，可实现高效、精确和高质量的制造，极大地降低碳化硅衬底的生产成本，减少浪费和环境影响。